工信部发布《光伏制造行业规范条件》
来源：CSPPLAZA光热发电网 | 0评论 | 6312查看 | 2013-08-29 18:33:00
CSPPLAZA光热发电网讯：工信部日前组织起草了《光伏制造行业规范条件(征求意见稿)》，于27日向社会发布并公开征求意见。根据规定，将严格控制新上单纯扩大产能的光伏制造项目。
工信部指出，为引导光伏制造行业加快转型升级，推动光伏产业持续健康发展，根据国家有关法律法规及产业政策，按照优化布局、调整结构、控制总量、鼓励创新、支持应用的原则，制定光伏制造行业规范条件。
《条件》对光伏行业中多晶硅、硅棒、硅锭、硅片、电池、电池组件等制造领域的生产布局与项目设立、生产规模和工艺技术、资源综合利用及能耗、环境保护和质量管理等方面做出了具体规定。
根据规定，将严格控制新上单纯扩大产能的光伏制造项目。对加强技术创新、降低生产成本等确有必要的新建和改扩建项目，报行业主管部门及投资主管部门备案。新建和改扩建光伏制造项目，最低资本金比例为20%。在生产规模上，多晶硅项目每期规模大于3000吨/年；硅锭年产能不低于1000吨；硅棒年产能不低于1000吨；硅片年产能不低于5000万片；晶硅电池年产能不低于200MWp；晶硅电池组件年产能不低于200MWp；薄膜电池组件年产能不低于50MWp。同时，光伏制造企业每年用于研发及工艺改进的费用不低于总销售额的3%且不少于1000万元。
附全文：
为深入贯彻落实科学发展观，引导光伏制造行业加快转型升级，推动我国光伏产业持续健康发展，根据国务院《关于促进光伏产业健康发展的若干意见》（国发[2013]24号）和国家有关法律法规及产业政策，按照优化布局、调整结构、控制总量、鼓励创新、支持应用的原则，特制定光伏制造行业规范条件。
一、生产布局与项目设立
（一）光伏制造企业及项目应符合国家资源开发利用、环境保护、节能管理等法律法规要求，符合国家产业政策和相关产业规划及布局要求，符合当地土地利用总体规划、城市总体规划、环境功能区划和环境保护规划等要求。
（二）在国家法律法规、规章及规划确定或省级以上人民政府批准的基本农田保护区、饮用水水源保护区、自然保护区、风景名胜区、重要生态功能保护区和生态环境敏感区、脆弱区等法律、法规规定禁止建设工业企业的区域不得建设光伏制造项目。上述区域内的现有企业应逐步迁出。
（三）严格控制新上单纯扩大产能的光伏制造项目。对加强技术创新、降低生产成本等确有必要的新建和改扩建项目，报行业主管部门及投资主管部门备案。新建和改扩建光伏制造项目，最低资本金比例为20%。
二、生产规模和工艺技术
（一）光伏制造企业应采用工艺先进、节能环保、产品质量好、生产成本低的生产技术和设备。
（二）光伏制造企业应具备以下条件：在中华人民共和国境内依法注册成立，具有独立法人资格；具有太阳能光伏产品独立生产、供应和售后服务能力；具有省级以上独立研发机构、技术中心或高新技术企业资质，每年用于研发及工艺改进的费用不低于总销售额的3%且不少于1000万元人民币；申报符合规范名单时上一年实际产量不低于本条第（三）款产能要求的50%。
（三）光伏制造企业按产品类型应分别满足以下要求：
1.多晶硅项目每期规模大于3000吨/年；
2.硅锭年产能不低于1000吨；
3.硅棒年产能不低于1000吨；
4.硅片年产能不低于5000万片；
5.晶硅电池年产能不低于200MWp；
6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp；
7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp。
（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：
1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的要求；
2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2μs，电阻率在1-3Ω。cm，碳、氧含量分别小于16和18PPMA；单晶硅片少子寿命大于10μs，电阻率在1-3Ω。cm，碳、氧含量分别小于10和18PPMA；
3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；
4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；
5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。
（五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：
1.多晶硅满足《硅多晶》（GB/T12963）2级品以上要求；
2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2.5μs，电阻率在1-3Ω。cm，碳、氧含量分别小于8和6PPMA；单晶硅片少子寿命大于11μs，电阻率在1-3Ω。cm，碳、氧含量分别小于8和6PPMA；
3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18%和20%；
4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%；
5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、12%、13%、12%。
（六）多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在2年内分别不高于3.2%和4.2%，25年内不高于20%；薄膜电池组件衰减率在2年内不高于5%，25年内不高于20%。
三、资源综合利用及能耗
（一）光伏制造企业和项目用地应符合国家已出台的土地使用标准，严格保护耕地，节约集约用地。
（二）光伏制造项目能耗应满足以下要求：
1.现有多晶硅项目还原电耗小于80千瓦时/千克，综合电耗小于140千瓦时/千克；新建和改扩建项目还原电耗小于60千瓦时/千克，综合电耗小于100千瓦时/千克；
2.现有硅锭项目平均综合能耗小于9千瓦时/千克，新建和改扩建项目小于7千瓦时/千克；如采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多晶产品，项目平均综合能耗的增加幅度不得超过0.5千瓦时/千克；
3.现有硅棒项目平均综合能耗小于50千瓦时/千克，新建和改扩建项目小于45千瓦时/千克；
4.现有多晶硅片项目平均综合能耗小于60万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于55万千瓦时/百万片；现有单晶硅片项目平均综合能耗小于40万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于35万千瓦时/百万片；
5.电池项目平均综合能耗小于15万千瓦时/ MWp；
6.晶硅电池组件项目平均综合能耗小于8万千瓦时/ MWp；薄膜电池组件项目平均能耗小于50万千瓦时/MWp。
（三）光伏制造项目生产水耗应满足以下要求：
1.多晶硅项目水循环利用率不低于95%；
2.硅片项目水耗低于1400吨/百万片；
3.电池项目水耗低于1700吨/MWp。
（四）其他生产单耗需满足国家相关标准。
四、环境保护
（一）新建和改扩建光伏制造项目应严格执行环境影响评价制度，未通过环境影响评价审批的项目不得开工建设。按照环境保护“三同时”要求，项目配套建设环境保护设施应依法申请项目竣工环境保护验收，验收合格后方可投入生产运行。企业应有健全的企业环境管理机构，制定有效的企业环境管理制度，定期开展清洁生产审核。
（二）废气、废水排放应符合国家和地方大气及水污染物排放标准和总量控制要求；恶臭污染物排放应符合《恶臭污染物排放标准》（GB14554），对产生的工业固体废物要依法贮存、处置或综合利用，应符合《危险废物贮存污染控制标准》（GB18597）和《一般工业固体废物贮存、处置场污染控制标准》（GB18559）相关要求，SiCl4等危险废物应委托具备相应处理能力的有资质单位进行妥善处置；厂界噪声符合《工业企业厂界环境噪声排放标准》（GB12348）。
（三）鼓励企业通过ISO14001环境管理体系认证、ISO14064温室气体核证、PAS2050/ISO14067碳足迹认证。
（四）光伏制造项目应按照环境影响报告书（表）及其批复、国家或地方污染物排放（控制）标准、环境监测技术规范的要求，制定自行监测方案，开展自行监测工作，公开自行监测信息。
五、质量管理
（一）光
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